数字电子技术第九章的PPT(徐丽香,第二版).ppt
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1、第9单元 大规模集成电路及其应用 通常这一单元的学习,可以掌握的知识有:通常这一单元的学习,可以掌握的知识有:1半导体存储器的类型。半导体存储器的类型。2RAM和和ROM的特点。的特点。3掌握掌握RAM和和ROM的运用方法。的运用方法。学习要求学习要求存储器存储器用以存储二进制信息的器件用以存储二进制信息的器件。1半导体存储器的分类半导体存储器的分类:根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类:根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类:(1)随机存取存储器()随机存取存储器(RAM)也叫做读)也叫做读/写存储器。既能写存储器。既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据。方便地读出所存数
2、据,又能随时写入新的数据。RAM的的缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失。(2)只读存储器()只读存储器(ROM)。存储的数据不会因断电而消)。存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性。失,即具有非易失性。根据输入根据输入/输出方式来分,半导体存储器可分为两大类:输出方式来分,半导体存储器可分为两大类:串行和并行。串行和并行。91半导体存储器概述半导体存储器概述 2存储器的主要指标存储器的主要指标(1)存储器的容量:存储器的容量)存储器的容量:存储器的容量=2nm(bit)n:地址线总数,:地址线总数,2n 称为字线数。称为字线数。m
3、每一地址单元存储每一地址单元存储m位二值数,位二值数,又 称 为 位 线 数。又 称 为 位 线 数。8 位 为 一 字 节,位 为 一 字 节,21 0=1 0 2 4=1 K,220=1024K=1M,230=1024M=1G例:例:1 1 根 地 址 线,根 地 址 线,8 根 数 据 线(根 数 据 线(8 位 输 出),容 量 为位 输 出),容 量 为2118=16Kb=2KB(2)存取时间存取时间接收到寻址信号到读接收到寻址信号到读/写数据为止。写数据为止。921 存储器的结构存储器的结构 9.2 存储器的结构和工作原理存储器的结构和工作原理 存储器的电路结构存储器的电路结构92
4、2 存储器的工作原理存储器的工作原理 以一个以一个2 22 24 4的存储器为例进行说明。它有二根的存储器为例进行说明。它有二根地址线地址线A A1 1、A A0 0,四根数据线,四根数据线D D3 3 D D0 0。二根地址线有四种。二根地址线有四种地址组合,假设对应输出数据如表。地址组合,假设对应输出数据如表。存储器的模拟结构如图存储器的模拟结构如图存存储储器器MD3D2D1D0A1A09.2.39.2.3.存储器的工作时序存储器的工作时序 ADD CS I/O t t t RC ACS AA(地址)读出单元的地址 输出数据 存储器读操作时序图存储器读操作时序图 存储器写操作时序图存储器写
5、操作时序图 t WC 写入单元的地址 ADD t WP CS R/W I/O 写入数据 AS t WR t DW t DH t 1掩膜存储器掩膜存储器.厂家把数据写入存储器中,用户无厂家把数据写入存储器中,用户无法进行任何修改。法进行任何修改。2一次性可编程只读存储器(一次性可编程只读存储器(PROM)。出厂时,。出厂时,存储内容全为存储内容全为1(或全为(或全为0),用户可根据自己的),用户可根据自己的需要编程,但只能编程一次。需要编程,但只能编程一次。93 只读存储器只读存储器 按照数据写入方式特点不同,按照数据写入方式特点不同,ROM可分为可分为以下几种:以下几种:931 常用常用ROM
6、介绍介绍 3紫外线可擦除紫外线可擦除EPROM(Ultraviolet PROM)。其内容可通过紫外线照射而被擦除,可多次编其内容可通过紫外线照射而被擦除,可多次编程。程。4电可擦电可擦E2PROM(Electrically PROM,简称,简称E2PROM)。可用电擦除,并且擦除的速度要快。可用电擦除,并且擦除的速度要快的多(一般为毫秒数量级)。的多(一般为毫秒数量级)。E2PROM的电擦除的电擦除过程就是改写过程,它具有过程就是改写过程,它具有ROM的非易失性,又的非易失性,又具备类似具备类似RAM的功能,可以随时改写(可重复擦的功能,可以随时改写(可重复擦写写1万次以上)。万次以上)。5
7、快闪存储器(快闪存储器(Flash Memory).也是采用浮栅型也是采用浮栅型MOS管,存储器中数据的擦除和写入是分开进行管,存储器中数据的擦除和写入是分开进行的,数据写入方式与的,数据写入方式与EPROM相同,一般一只芯片相同,一般一只芯片可以擦除可以擦除/写入写入100次以上。次以上。可擦除可编程ROM932 应用举例应用举例 1.用于查表的表格用于查表的表格 数学运算是数控装置和数字系统中需要经常进数学运算是数控装置和数字系统中需要经常进行的操作,如果事先把要用到的基本函数变量在一行的操作,如果事先把要用到的基本函数变量在一定范围内的取值和相应的函数取值列成表格,写入定范围内的取值和相
8、应的函数取值列成表格,写入只读存储器中,则在需要时只要给出规定只读存储器中,则在需要时只要给出规定“地址地址”就可以快速地得到相应的函数值。这种就可以快速地得到相应的函数值。这种ROM,实际,实际上已经成为函数运算表电路。上已经成为函数运算表电路。存储器很经常用于当作存储数据的表格,因为存储器很经常用于当作存储数据的表格,因为输入地址,就可输出存储在该地址单元的数据输出。输入地址,就可输出存储在该地址单元的数据输出。2实现任意组合逻辑函数实现任意组合逻辑函数 3字符显示字符显示 字符发生器常用于显示终端、打印机及其他一些数字装字符发生器常用于显示终端、打印机及其他一些数字装置。将各种字母、数字
9、等字符事先存储在置。将各种字母、数字等字符事先存储在ROMROM的存储矩阵中,的存储矩阵中,再以适当方式给出地址码,某个字符就能读出,并驱动显再以适当方式给出地址码,某个字符就能读出,并驱动显示器进行显示示器进行显示 下图用下图用ROM构成字母构成字母“T”的原理。的原理。9.3.5 常用的常用的E2PROM举例举例 2864(8K8位)是常位)是常用的用的E2PROM芯片,其容芯片,其容量是量是8K8位,即位,即8K字节。字节。它有它有13根地址线根地址线(213=8210),),8根输出根输出线,它与同容量的线,它与同容量的EPROM2764是兼容的。是兼容的。外引线如图外引线如图9.13
10、。94 随机存储器随机存储器RAM RAMRAM的优点的优点:读、写方便,使用灵活;缺:读、写方便,使用灵活;缺点:数据易失(即一旦停电以后所存储的点:数据易失(即一旦停电以后所存储的数据将随之丢失)。数据将随之丢失)。分类:分类:静态存储器和动态存储器静态存储器和动态存储器应用:应用:静态存储器由于速度快可用于计算静态存储器由于速度快可用于计算机的显卡的内存,动态存储器容量大用于机的显卡的内存,动态存储器容量大用于计算机的内存条。计算机的内存条。1静态随机存储器(静态随机存储器(SRAM)静态随机存储静态随机存储器是有自保持功器是有自保持功能的能的RAMRAM。右图是典型右图是典型的六管静态
11、存储的六管静态存储单元。它的特点单元。它的特点是存储单元有自是存储单元有自保持功能,功耗保持功能,功耗高,成本高。高,成本高。2动态随机存储器(动态随机存储器(DRAM)动态随机存储器是需要刷新存储器。动态随机存储器是需要刷新存储器。单管动态存储器是最典单管动态存储器是最典型的动态随机存储器,其存型的动态随机存储器,其存储单元的结构如图。储单元的结构如图。3SRAM6264简介简介 62646264是双列直插是双列直插CMOSCMOS静态静态RAMRAM。右图所。右图所示是其外引线图,它的示是其外引线图,它的外接线和存储器同为外接线和存储器同为8K8K8 8位的位的E E2 2PROM2864
12、PROM2864的引线结构非常相似。的引线结构非常相似。95可编程逻辑器件(可编程逻辑器件(PLD)简介)简介 可编程逻辑器件(可编程逻辑器件(Programmable Programmable Logic DeviceLogic Device,简称,简称PLDPLD)是一种半定制是一种半定制性质的专用集成电路,用户在使用前可性质的专用集成电路,用户在使用前可对它进行编程,自行配置各种逻辑功能。对它进行编程,自行配置各种逻辑功能。951 概述概述PLD的基本结构的基本结构可编程逻辑器件的分类可编程逻辑器件的分类n可编程逻辑阵列(可编程逻辑阵列(Programmable Logic Array
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